spyware link press cell phone spyware does it really work site free bbm spyware spy phone tracking devices best spy camera app for android cell phone live monitoring free text spy app for android howcan ispy on someones phone press spy fur android straight talk iphone 3gs texting spy

 

Wykład

Fizyka i technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów

Rok akademicki 2006-2007

 

Stanisław Krukowski, Michał Leszczyński

IWC PAN, Sokołowska 29/37 01-142 Warszawa

 

Zbigniew Zytkiewicz

IF PAN, Al. Lotników 32-46 02-668 Warszawa

 

Podstawa do obliczeń czasu:

 teoria oraz modelowanie - I semestr = 15 wykładów po 2 godziny

metody doświadczalne i charakteryzacja - I semestr = 15 wykładów po 2 godziny

 

Wykład odbywać się będzie w piątki, od 01.10.2006 o godz. 13.00 w Interdyscyplinarnym Centrum Modelowania w sali 3089 w budynku Wydziału Geologii UW, Al. Żwirki i Wigury 93 (http://www.icm.edu.pl/o_icm/lokalizacja.php )

 

Uzasadnienie

 

Rozwój technik informatycznych,, stworzenie nowych technik diagnostyki molekularnej (np., dla potrzeb medycyny) wymaga opanowania podstaw metod wytwarzania nowych materiałów. W szczególności dotyczy to podstawowych metod wzrostu kryształów, zarówno objętościowych, jak i struktur kwantowych o wymiarach mikro i nano. W chwili obecnej kursy fizyki w Polsce, zarówno w Warszawie, jak i w innych miastach, nie obejmują wykładów z dziedziny podstaw fizyki wzrostu kryształów. Proponowany poniżej program zawiera  kurs podstaw wzrostu kryształów (zwłaszcza półprzewodników), zarówno w ujęciu teoretycznym, jak i przegląd głównych technik wzrostu oraz metod charakteryzacji. Zakładamy, że kurs ten nie będzie wyczerpującym opisem tematu. Będzie natomiast dawał wystarczające podstawy dla zrozumienia dziedziny, stanowiąc jednocześnie dobry punkt wyjścia dla dalszej samodzielnej nauki. Kurs jest planowany dla doktorantów i młodych pracowników naukowych. Może też być pożyteczny dla studentów IV i V roku studiów pod warunkiem jednak opanowania podstaw mechaniki kwantowej, mechaniki statystycznej i fizyki ciała stałego na poziomie uniwersyteckim. Na zakończenie rocznego cyklu wykładów przewidujemy wizytę studentów w laboratoriach wzrostu kryształów Instytutu Fizyki PAN i Instytutu Wysokich Ciśnień PAN w Warszawie. Pozwoli to na zapoznanie zainteresowanych studentów z istniejącą bazą eksperymentalną i ze szczegółami prowadzonych prac badawczych.

Kurs jest adresowany do takich instytutów, jak: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Instytut Fizyki PAN, Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Instytut Technologii Elektronowej, oraz wydziałów Politechniki Warszawskiej: Inżynierii Materiałowej, Fizyki, Chemii, oraz do Wydziału Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego.

 


 

Semestr I

 

  1. Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników na świecie i w Polsce (Michał Leszczyński) - 06.10.2006

-         Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników elementarnych: diament. krzem, german

-         Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników złożonych: GaAs, InP, GaN, kryształy II-VI

 

  1. Równowaga termodynamiczna (Stanisław Krukowski) - 13.10.2006

-         podstawy równowagi wielofazowej: temperatura, ciśnienie, potencjał chemiczny

-         równowaga: faza gazowa – faza stała

-         równowaga faza ciekła – faza gazowa

-         równowaga układów wieloskładnikowych: roztwory, gaz idealny

 

  1. Wzrost warstw epitaksjalnych półprzewodników na świecie i w Polsce (Michał Leszczyński) - 20.10.2006

-         Wzrost warstw epitaksjalnych i zastosowania: elektronika, optoelektronika

-         Perspektywy nowych zastosowań

 

  1. Równowagowe własności powierzchni krystalicznych (Stanisław Krukowski) - 27.10.2006

-         równowagowy kształt powierzchni

-         równowagowa struktura powierzchni krystalicznych

-         powierzchnie kryształów rzeczywistych: relaksacja i rekonstrukcja

 

Wykład w dniu 03.11.2006r – został odwołany

 

  1. Termodynamiczne ujecie procesów wzrostu (Stanisław Krukowski) - 10.11.2006 oraz 17.11.2006

-         stany nierównowagi – pojecie lokalnej równowagi

-         mikroskopowe ujecie kinetyki procesów chemicznych – pojęcie równowagi cząstkowej

-         przesycenie

-         przechłodzenie

-         nukleacja homogeniczna i heterogeniczna - 2d oraz 3d.

 

  1. Procesy kinetyczne na powierzchni (Stanisław Krukowski) - 24.11.2006, 01.12.2006 oraz 15.12.2006

-         procesy adsorpcji i desorpcji

-         procesy atomowe na powierzchni

-         wzrost na powierzchniach szorstkich

-         wzrost kontrolowany przez dwuwymiarowa nukleację

-         wzrost kontrolowany przez dyslokacje śrubowe

-         wzrost kontrolowany przez ruch stopni

-         kinetyka stopni

 

  1. Procesy transportu w fazie ciekłej i gazowej (Stanisław Krukowski) - 05.01.2007 oraz 12.01.2007

-         konwekcja

-         dyfuzja

-         przewodnictwo cieplne

 

  1. Domieszkowanie (Keshra Sangwal) - 19.01.2007

-         włączanie defektów punktowych

-         tworzenie wytrąceń obcej fazy

 

  1. Dyslokacje i inne defekty rozciągłe (Keshra Sangwal) – 26.01.2007

-         naprężenia i tworzenie dyslokacji niedopasowania

-         defekty płaskie i in.

 

 

  1. Wybór kształtu podczas wzrostu i jego stabilność (Stanisław Krukowski – Semestr II)

-         teorie opisu kształtu

-         morfologiczna stabilność

-         ewolucja kształtu podczas wzrostu

 

  1. Modelowanie procesów transportu w skali makroskopowej (Stanisław Krukowski - Semestr II)

-         Metoda skończonej różnicy - FDM

-         Metoda skończonej objętości - FVM

-         Metoda elementu skończonego - FEM

-         Warunki brzegowe

-         Metody rozwiązywania równań nieliniowych

 

  1. Modelowanie procesów wzrostu kryształów w skali atomowej (Stanisław Krukowski) – Semestr II)

-         Metoda Monte Carlo

-         Metoda dynamiki molekularnej

-         Przybliżenie Borna-Oppenheimera

-         Metoda funkcjonału gęstości - DFT

 


 

Semestr II

 

 

I. Wzrost kryształów objętościowych

 

13. Wzrost kryształów objętościowych z roztopu; T. Słupiński (23 luty 2007)

 

14. Metody wzrostu objętościowego z roztworu; T. Słupiński (2 marzec 2007)

 

15. Wzrost objętościowy z fazy pary; K. Grasza (9 marzec 2007)

 

II. Techniki wzrostu epitaksjalnego:

 

16. Epitaksja – wstęp; Z.R. Żytkiewicz (16 marzec 2007)

 

17. Wzrost epitaksjalny z fazy ciekłej; Z.R. Żytkiewicz (23 marzec 2007)

 

18. Epitaksja z fazy gazowej; M. Leszczyński (30 marzec 2007)

 

6 kwiecień 2007 - WOLNE

 

19. Epitaksja z wiązek molekularnych; T. Słupiński (13 kwiecień 2007)

 

 

III. Metody charakteryzacji kryształów i struktur epitaksjalnych

 

20. Lateralny wzrost epitaksjalny, Z. Zytkiewicz (20 kwiecień 2007)

 

21. Mikroskopia elektronowa; S. Kret (27 kwiecień 2007)

 

4 maja 2007 - WOLNE

 

22. Badania własności optycznych i elektrycznych; P. Perlin (11 maja 2007)

 

23. Rentgenowskie badania strukturalne; M. Leszczyński (18 maja 2007 – WYKLAD ODBĘDZIE SIĘ W SALI D IF PAN, Al. Lotników 32/46)

 

25 maja 2007 WOLNE

 

24. Modelowanie procesów wzrostu - obraz makro; S. Krukowski (1 czerwca 2007)

 

8 czerwca 2007 WOLNE – dzień wolny na UW

 

25. Modelowanie procesów wzrostu - obraz mikro; S. Krukowski (15 czerwca 2007 – wykład przeniesiony z dn. 8 czerwca 2007)